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電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES的分析原

 更新時(shí)間:2019-06-08 點(diǎn)擊量:2452

電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES的分析原理

  等離子體發(fā)射光譜分析法是光譜分析技術(shù)中,以等離子體炬作為激發(fā)光源的一種發(fā)射光譜分析技術(shù)。其中以電感耦合等離子體(inductivelycoupledplasma,簡(jiǎn)稱為ICP)作為激發(fā)光源的發(fā)射光譜分析方法,簡(jiǎn)稱為ICP-OES,是光譜分析中研究為深入和應(yīng)用為廣泛、有效的分析技術(shù)之一。

  電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES的分析原理:

  電感耦合等離子體焰矩溫度可達(dá)6000~8000K,當(dāng)將試樣由進(jìn)樣器引入霧化器,并被氬載氣帶入焰矩時(shí),則試樣中組分被原子化、電離、激發(fā),以光的形式發(fā)射出能量。不同元素的原子在激發(fā)或電離時(shí),發(fā)射不同波長(zhǎng)的特征光譜,故根據(jù)特征光的波長(zhǎng)可進(jìn)行定性分析;元素的含量不同時(shí),發(fā)射特征光的強(qiáng)弱也不同,據(jù)此可進(jìn)行定量分析,其定量關(guān)系可用下式表示:

  I=aC^b

  式中:I—發(fā)射特征譜線的強(qiáng)度;

  C—被測(cè)元素的濃度;

  a—與試樣組成、形態(tài)及測(cè)定條件等有關(guān)的系數(shù);

  b—自吸系數(shù),b≤1

  電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES的應(yīng)用領(lǐng)域:

  ICP-OES目前主要應(yīng)用包括以下幾方面:

  1、材料類檢測(cè):主要包括傳統(tǒng)金屬材料以及新型材料的成分檢測(cè)。

  2、環(huán)境與安全類:主要包括食品、食品容器以及其包裝材料的重金屬檢測(cè);玩具以及兒童用品及其包裝材料中的有害重金屬檢測(cè)。(銻、砷、鋇、鉻、鎘、鉛、汞等);電子電器材料有害物質(zhì)檢測(cè)。(Pb、Cd、Hg等);化妝品、洗滌劑及其包裝材料中的有害成分:砷、汞、鉛等。

  3、醫(yī)藥類:一般應(yīng)用于藥品以及一些保健品的有害成分以及營(yíng)養(yǎng)成分的檢測(cè)

  4、地質(zhì)、礦產(chǎn)、農(nóng)業(yè)行業(yè)的檢測(cè):主要應(yīng)用于分析地質(zhì)、礦產(chǎn)、土壤等材料中的元素檢測(cè)以及研究。

  5、任何高純物質(zhì)的檢測(cè):主要包括氯堿化工的高純燒堿及其原材料的微量元素分析以及高純藥品中間體。

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